Direct-bandgap germanium active layers pumped above transparency based on tensilely strained nanomembranes

Boztuğ Yerci Ç. H., Chen F., Sanchez-Perez J., Sudradjat F., Paskiewicz D., Jacobson R., ...Daha Fazla

Quantum Electronics and Laser Science Conference, QELS 2011, Baltimore, MD, Amerika Birleşik Devletleri, 1 - 06 Mayıs 2011, (Tam Metin Bildiri)

  • Yayın Türü: Bildiri / Tam Metin Bildiri
  • Doi Numarası: 10.1364/cleo_si.2011.pdpa2
  • Basıldığı Şehir: Baltimore, MD
  • Basıldığı Ülke: Amerika Birleşik Devletleri
  • TED Üniversitesi Adresli: Hayır

Özet

We show that mechanically stressed nanomembranes can be used to introduce sufficient tensile strain in Ge to transform it into a direct-bandgap, efficient light-emitting material that can support population inversion and thus provide optical gain. © 2011 Optical Society of America.